مطالعه پاسخ طیفی آشکارساز آنتنی تراهرتز با تغییر دی الکتریک پوششی

Abstract

در این مقاله پاسخ فرکانسی آشکارساز آنتنی در حالتی که روی آن لایه ای از دی الکتریک قرار داده شده باشد بررسی شده است. برای این منظور از تئوری موج سطحی برای توضیح انتشار پالس جریان در الکترودهای آنتن استفاده شده است. در اینجا طیف انتشار آنتن تراهرتز bow tie در ابعاد بزرگ و کوچک(با توجه به پارامترهای مشخص شده در مقاله)بر روی زیرلایه LT-GaAs که روی آنها دی الکتریک های گالیوم آرسناید و سیلیکا قرار دارند، از طریق نرم افزار CST (روش FDTD) شبیه سازی شده است. پالس تولید شده به وسیله نرم افزار CST در محدوه فرکانسی 0.1 تا 5 تراهرتز و با قله 2.74 تراهرتز می باشد. شبیه سازی ها نشان می دهد علاوه بر اینکه وجود دی الکتریک پوششی روی سطح آنتن، سرعت انتشار پالس جریان بر روی الکترودها را تحت تأثیر قرار می دهد، تغییر ضخامت و موقعیت دی الکتریک پوششی بر روی پاسخ طیفی آنتن آشکارساز تأثیر می گذارد.