افزایش اثر امپدانس مغناطیسی و بهبود مورفولوژی سطح با استفاده از جریان پالسی در لایه‌نشانی الکتروشیمیایی بر روی سیم مسی

Authorsمحمدمهدی داستانی امنیه,مریم مختاری,مهرداد مرادی کاونانی
Conference Titleدومین کنفرانس بین المللی فناوری های نوین در علوم
Holding Date of Conference۲۰۱۹-۰۳-۱۳ - ۲۰۱۹-۰۳-۱۳
Event Place1 - بابلسر
Presented byدانشگاه تخصصی فناوری های نوین آمل
PresentationSPEECH
Conference LevelInternational Conferences

Abstract

در این مقاله، آهن- نیکل با روش الکتروشیمیایی بر روی سیم غیر مغناطیسی با ضخامت 100 میکرومتر با استفاده از جریان پالسی و حمام سولفات از این فلزات لایه‌نشانی شد و اثر امپدانس مغناطیسی در این لایه ها بررسی گردید. زمان فعال لایه نشانی یکی از فاکتورهای مهم در لایه نشانی و پاسخ امپدانس مناطیسی را بهبود بخشید. در جریان پالسی زمان فعال با ایجاد سطحی مناسب باعث افزایش پاسخ امپدانس مغناطیسی شد. همچنین انتخاب زمان فعال مناسب، منجر به ایجاد یک آلیاژ نانو کریستال همگن می شود. تغییرات MI با تغییر ناهمسانگردی مغناطیسی سطح توضیح داده شد. نشان می‌دهد که اثر امپدانس مغناطیسی می تواند با موفقیت به عنوان یک گزینه الکتروشیمیایی برای بررسی ویژگی های الکتریکی الکترودهای مغناطیسی تغییر یافته سطح مورد استفاده قرار گیرد. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که مکانیزم رشد دانه می تواند بسته به جریان پالس متفاوت باشد که امپدانس مغناطیسی از 48 تا 122 درصد برای جریان پالس رسوب نشان داده شده است.

tags: امپدانس مغناطیسی، لایه‌نشانی، مورفولوژی سطح، جریان پالسی، پراش پرتوی ایکس