| Authors | طیبه قربانی آرانی,مهرداد مرادی کاونانی,سجاد قربانی سینی,مصطفی زاهدیفر |
|---|---|
| Conference Title | کنفرانس فیزیک ایران ۱۴۰۰ |
| Holding Date of Conference | ۲۰۲۱-۰۸-۲۳ - ۲۰۲۱-۰۸-۲۶ |
| Event Place | 1 - اصفهان |
| Presented by | دانشگاه صنعتی اصفهان |
| Presentation | SPEECH |
| Conference Level | National Conferences |
Abstract
سلول‌های خورشیدی مبتنی بر لایه‌نازکCuIn1-xGaxSe2 (CIGS) یکی از انواع سلول‌های خورشیدی نسل دوم هستند که دارای ویژگی‌هایی همچون گاف نواری مستقیم اما متغیر بین 7/1-1/1 الکترونولت، ضریب جذب بزرگتر از 1-cm 104 و پایداری عالی می‌باشد. در این مقاله خواص ساختاری، سطحی و نوری لایه جاذب CIGS لایه‌نشانی شده به‌روش تبخیر حرارتی تحت خلأ بر روی بستر مولیبدن بررسی شد. لایه جاذب CIGS تحت شش فرآیند سه‌مرحله‌ای متفاوت سلنیوم‌دار شد که مرحله اول و دوم هر شش فرآیند یکسان و تنها مرحله سوم و در واقع دمای نهایی فرآیند سلنیوم‌دار کردن متفاوت انتخاب شد. نتایج حاصل از آنالیز پراش پرتو ایکس نشان داد که با افزایش دمای نهایی فرآیند سلنیوم‌دار کردن تا °C700 میزان بلورینگی لایه جاذب افزایش می‌یابد و همچنین حضور فازهای اضافی به حداقل می‌رسد. نتایج حاصل از آنالیز میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان‌دهنده افزایش اندازه دانه و میزان یکنواختی لایه جاذب در دمای °C700 بود. گاف نواری برای دو نمونه سلنیوم‌دار شده در دو دمای نهایی °C450 و °C700 به‌ترتیب 32/1 و 26/1 الکترونولت به‌دست آمد.
tags: لایه جاذب، CIGS، تبخیر حرارتی، لایه‌نشانی، سلنیوم‌دار کردن