اثرجریان الکترونهشت بر خواص مغناطیسی نانوسیم های Co

نویسندگانمهدیه احمدزاده ازناوه، محمد الماسی کاشی، محمد نورمحمدی
همایشکنفرانس فیزیک ایران
تاریخ برگزاری همایش۲۶-۸-۲۰۱۹
محل برگزاری همایشتبریز
نوع ارائهپوستر
سطح همایشملی

چکیده مقاله

نانوسیم های Co در قالب حفره دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره های منظم با آرایش شش گوشی با قطر 30nm و فاصله بین حفره ای 100 nm با رو ش آندایز دو مرحله ای ساخته شد. به منظور بهینه سازی شرایط الکتروانباشت ،جریان های مختلف( 9 ،11،13mA) الکترونهشت در نظر گرفته شد و اثر آن بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها مورد بررسی قرار گرفت و مقداربهینه جریان mA 13 شد.