اثر اسپین-فوتوولتائیک در نانونوار دندان ارهای mos2

Abstract

.در این نوشتار به بررسی روشی برای ایجاد جریانهای وابسته به اسپین القا شده توسط تابش نور در نانونوار دندان ارهای MoS2 پرداختهایم. برای انجام محاسبات از برهمکنش نور با ماده در مدل تابع گرین غیرتعادلی استفاده نمودهایم. به دلیل حضور جفتشدگی اسپین-مدار ذاتی در MoS2 جریان الکتریکی تولید شده به صورت قابل توجهی وابسته به اسپین خواهد بود. نتایج حاصل برای بازده کوانتومی و قطبش اسپینی، تایییدکنندهی کارایی این آشکارساز نوری-اسپینی در زمینهی اسپین-فوتوولتائیک هستند. واژههای کلیدی: اسپین-فوتوولتائیک، نانونوار دندان ارهای MoS2، جفتشدگی اسپین-مدار، بازده کوانتومی، قطبش اسپینی.