شبیه سازی جریان نوری در نانونوار سیلیسن زیگزاگ

Abstract

در پژوهش حاضر ما با استفاده از حل خودسازگار تابع گرین غیرتعادلی، درحضور برهم¬کنشهای الکترون- فوتون و اسپین- مدار، به بررسی خواص ترابرد نوری نانوترانزیستور مبتنی¬بر نانونوار سیلیسن زیگزاگ تحت تابش نور ( مادون قرمز، مرئی و فرابنفش) با شدت ثابت می¬پردازیم. نتایج این پژوهش نشان می¬دهد که اگرچه اعمال برهم¬کنش اسپین- مدار تاثیری روی انرژی خطوط جذب نوری ندارد، ولی افزایش شدت این برهم¬کنش، منجر به افزایش پهنای قله¬های بازده کوانتومی می¬گردد. بنابراین استفاده از نانوساختارهای دوبعدی دارای برهم¬کنش اسپین- مدار قویتر (مانند ژرمانن، استانن و غیره) در ادوات نوری، دقت این ادوات به¬منظور کاربردهای آشکارسازی را کاهش می¬دهد. همچنین براساس نتایج این پژوهش، می¬توان با تغییر عرض نانونوار سیلیسن زیگزاگ مکان مهمترین قله¬ی جریان نوری را تغییر داد، ولی میزان این تغییر برای نانونوارهای عریض¬تر بسیار ناچیز بوده و تاثیری بر محدوده پاسخدهی نوری ندارد. به¬طورکلی نانوترانزیستور شبیه¬سازی¬شده مبتنی¬بر نانونوار سیلیسن زیگزاگ با عرضهای متفاوت و درحضور برهم¬کنش اسپین- مدار با شدتهای مختلف جهت آشکارسازی امواج نوری در محدوده طول موجی مرئی و مادون¬قرمز مناسب می¬باشد.