بررسی ساختار گاف نوار فوتونی و ضریب جذب در یک بلور فوتونی سه تایی شامل لایه پلاسمای گرم برخوردی با استفاده از روش ماتریس انتقال

Abstract

در پژوهش پیش رو انتشار امواج الکترومغناطیسی از بلور فوتونی پلاسمایی سه تایی با استفاده از روش ماتریس انتقال بررسی می شود. در اینجا هر سلول واحد شامل سه لایه ی پلاسما1-دی الکتریک-پلاسما2 در نظر گرفته می شود که پلاسما، در تقریب گرم برخوردی می باشد. جذب و انعکاس امواج الکترومغناطیسی تخت تکفام که بطور عمود بر بلور فوتونی فرود می آیند، بررسی می گردد. همچنین با تغییر پارامترهای مختلف به مطالعه تعداد و پهنای نوارهای گاف و ضریب جذب پرداخته می شود. مشاهده می گردد که با تغییر ویژگی لایه های پلاسما مانند دمای جنبشی الکترونها، فرکانس پلاسمایی و فاکتور اشغال می توان ضریب جذب را تغییر داد و گاف نوار فوتونی را در بازه فرکانسی دلخواه تنظیم نمود.