اثر پارامترهای مختلف بر شدت جذب و نوار گاف بلور فوتونی پلاسمایی سه¬تایی با احتساب اثرات گرمایی و برخوردی پلاسما

Abstract

در این مطالعه، انتشار امواج الکترومغناطیسی و ساختار نوار گاف در یک بلور فوتونی پلاسمایی یک بعدی سه¬تایی شامل پلاسمای برخوردی با در نظر گرفتن سرعت حرارتی الکترونها بررسی شده است. هر سلول واحد ساختار متشکل از لایه¬های دی-الکتریکI_پلاسما_دی¬الکتریکII می¬باشد. پلاسما نوعی ماده پاشنده است، یعنی ضریب شکست آن به فرکانس موج الکترومغناطیسی فرودی وابسته است. همین ویژگی، بلور فوتونی پلاسمایی را از سایر بلورهای فوتونی معمول متمایز می¬کند. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، شدت جذب و انعکاس امواج الکترومغناطیس با قطبش TE هنگامی که به طور عمود و مورّب بر بلور فوتونی فرود می¬آید، مورد مطالعه قرار می¬گیرد. نتایج شبیه¬سازی نشان می¬دهند با تغییر پارامترهای مختلف بلور فوتونی مانند ضخامت و دمای الکترونی لایه پلاسما، ثابت دی الکتریک و ضخامت لایه¬های دی¬الکتریک، می¬توان پهنا، تعداد و محل نوارهای گاف را بصورت هدفمند تنظیم کرد و شدت جذب موج فرودی را کنترل کرد.