Improving the photovoltaic performance of CdS/CdSe quantum dot-sensitized solar cells using an Al-ZnS ternary passivation layer

نویسندگانFatemeh Fattahiyan,مریم استاد ابراهیم
همایش22nd Iranian Chemistry Congress
تاریخ برگزاری همایش2024-05-13 - 2024-05-15
محل برگزاری همایش1 - تهران
ارائه به نام دانشگاهسازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران
نوع ارائهسخنرانی
سطح همایشبین المللی

چکیده مقاله

We have improved the photovoltaic characteristics of the CdS/CdSe quantum dot-sensitized solar cells (QDSSCs) by employing the Al-ZnS ternary passivation layer after the deposition of CdSe QDs, which caused a lower charge recombination at the interfaces of TiO2/CdS/CdSe/polysulfide and thereby a higher collection of photoelectrons in the TiO2 film.

کلید واژه ها: Quantum dot sensitized solar cells; Photoanode; Passivation layer; Aluminium ion-doped ZnS; Charge recombination