نویسندگان | Fatemeh Fattahiyan,مریم استاد ابراهیم |
---|---|
همایش | 22nd Iranian Chemistry Congress |
تاریخ برگزاری همایش | 2024-05-13 - 2024-05-15 |
محل برگزاری همایش | 1 - تهران |
ارائه به نام دانشگاه | سازمان پژوهش های علمی و صنعتی ایران |
نوع ارائه | سخنرانی |
سطح همایش | بین المللی |
چکیده مقاله
We have improved the photovoltaic characteristics of the CdS/CdSe quantum dot-sensitized solar cells (QDSSCs) by employing the Al-ZnS ternary passivation layer after the deposition of CdSe QDs, which caused a lower charge recombination at the interfaces of TiO2/CdS/CdSe/polysulfide and thereby a higher collection of photoelectrons in the TiO2 film.
کلید واژه ها: Quantum dot sensitized solar cells; Photoanode; Passivation layer; Aluminium ion-doped ZnS; Charge recombination