CV
QR


Seyed Mohammadbagher Ghoreishi

Seyed Mohammadbagher Ghoreishi

Associate Professor

College: faculty of Physics

Department: Laser and Photonics

Degree: Ph.D

Birth Year: 1357

CV
QR
Seyed Mohammadbagher Ghoreishi

Associate Professor Seyed Mohammadbagher Ghoreishi

College: faculty of Physics - Department: Laser and Photonics Degree: Ph.D | Birth Year: 1357 |

بررسی و مقایسه میان لایه سد کننده Tio2 با پیش¬ماده¬های TTip و TiCl4 در عملکرد سلول خورشیدی پروسکایت

Authorsزهرا براتی بروجنی,معصومه بهرامی درشوری,احسان حسینی,سیدمحمدباقر قریشی
Conference Titleکنفرانس سلول های خورشیدی نانو ساختار
Holding Date of Conference2016-12-22
Event Placeتهران
PresentationSPEECH
Conference LevelNational Conferences

Abstract

سلول¬های خورشیدی پروسکایت، سلول های حساس به رنگی هستند که در ساختار آنها جذب پروسکایت هالیدی سرب متیل آمونیوم بر روی سطح نانوکریستالی تیتانیوم اکساید (Tio2) زده می¬شود. تیتانیوم اکساید یک ماده نیمه¬هادی است که در سه فاز بلوری آناتاز، روتیل و بروکیت موجود است و به دلیل قدرت جذب نور UV، پایداری بالا و گاف انرزی مناسب در سلول¬های خورشیدی استفاده می¬شود. با توجه به اهمیت میان لایه تیتانیوم اکساید در سلول خورشیدی پروسکایت، در این پژوهش دو نوع از پیش ماده های لازم برای لایه نشانی تیتانیوم اکساید سد¬کننده در ساختار FTO / bl-TiO2 / mp-TiO2 / CH3NH3PbI3 /Au مورد استفاده قرار گرفت. این پیش¬ماده¬ها عبارت اند از تیتانیوم تترا ایزوپروپوکساید (TTip) و تیتانیوم تترا کلرید (TiCl4). برای لایه نشانی Tio2 با استفاده از TTip، ماده ی TTip را با اتانول و هیدروکلریک اسید مخلوط کرده و محلول بدست آمده به روش چرخشی لایه نشانی و سپس طی مراحلی تا دمای 500 درجه سانتی گراد باز پخت انجام شد. برای تهیه محلول TiCl4، ماده¬ی TiCl4 با آب مقطر مخلوط شد و در ادامه به روش غوطه¬وری تحت دمای 70 درجه ¬سانتی¬گراد لایه-نشانی و سپس همانند TTip باز پخت شد. مقایسه آنالیز AFM دو ماده نشان داد که سطح TTip لایه¬نشانی شده هموارتر از سطح TiCl4 است .. در نهایت با ساخت سلول افزایش بازدهی برای سلول خورشیدی ساخته شده با TTIP اندازه¬گیری شد.