Authors | مهدی قربانی زاغه,سیدمحمدباقر قریشی |
---|---|
Conference Title | کنفرانس فیزیک ایران |
Holding Date of Conference | ۲۰۱۹-۰۸-۲۶ - ۲۰۱۹-۰۸-۲۹ |
Event Place | 1 - تبریز |
Presented by | دانشگاه تبریز |
Presentation | SPEECH |
Conference Level | National Conferences |
Abstract
در این پژوهش، ابتدا لایه نازک اکسید نیکل به روش اسپری معمولی در سه دمای زیرلایه متفاوت ساخته شد. بهمنظور بررسی خواص اپتیکی لایهها، با انجام طیفسنجی فرابنفش-مرئی، گاف نواری انرژی در حدود 3.45 الکتون ولت به دست آمد. سپس برای بهینه کردن این مقدار ، با تغییر روش لایه نشانی و استفاده از روش اسپری التراسونیک ساخته شده در آزمایشگاه ، گاف نواری انرژی این لایهها محاسبه گردید و مقدار 3.75 بهدست آمد. مشاهده شد که گاف نواری انرژی لایههای ساخته شده با روش دوم افزایش پیدا می¬کند.
tags: اسپری التراسونیک، اسپری معمولی، لایه نازک اکسید نیکل، گاف نواری انرژی.