بررسی گاف انرژی لایه نازک اکسید نیکل لایه نشانی‌شده به دو روش اسپری معمولی و اسپری التراسونیک

Abstract

در این پژوهش، ابتدا لایه نازک اکسید نیکل به روش اسپری معمولی در سه دمای زیرلایه متفاوت ساخته ‌شد. به‌منظور بررسی خواص اپتیکی لایه‌ها، با انجام طیف‌سنجی فرابنفش-مرئی، گاف نواری انرژی در حدود 3.45 الکتون ولت به دست آمد. سپس برای بهینه کردن این مقدار ، با تغییر روش لایه نشانی و استفاده از روش اسپری التراسونیک ساخته شده در آزمایشگاه ، گاف نواری انرژی این لایه‌ها محاسبه گردید و مقدار 3.75 به‌دست آمد. مشاهده شد که گاف نواری انرژی لایه‌های ساخته شده با روش دوم افزایش پیدا می¬کند.