بررسی حضور نقاط کوانتومی در لایه‌های مختلف یک دیود نورگسیل آلی

Authorsسیدمحمدباقر قریشی,ندا حیدری,محمدرضا فتح‌اللهی
Conference Titleکنفرانس فیزیک ایران 1399
Holding Date of Conference۲۰۲۰-۰۸-۲۲ - ۲۰۲۰-۰۸-۲۵
Event Place1 - کرمانشاه
Presented byدانشگاه رازی
PresentationSPEECH
Conference LevelNational Conferences

Abstract

در این مقاله ساختار یک دیود نورگسیل آلی معکوس با حضور نقاط کوانتومی در لایه‌های مختلف آن بررسی و نشان داده شد که قرار گرفتن نقاط کوانتومی در لایه انتقال‌دهنده حفره سبب بهبود بیشتر خواص الکتریکی و اپتیکی دیود نورگسیل آلی خواهد شد. ویژگی‌هایی مانند راندمان لومینسانس، غلظت هر یک از حامل‌ها، مشخصه جریان-ولتاژ و ... مورد بررسی و مقایسه قرار گرفت. به‌منظور بهینه‌سازی ساختار دیود نورگسیل آلی شبیه‌سازی بر اساس روش تفاضل محدود حوزه‌ی زمان (FDTD) انجام شده است. نقاط کوانتومی در سه لایه TCTA، TPBi و Bphen به‌صورت یک ردیف قرار گرفت و نشان داده شد وقتی نقاط کوانتومی در لایه TCTA قرار می‌گیرند نتایج بهتری حاصل می‌گردد.

Paper URL

tags: دیود نورگسیل آلی، نقاط کوانتومی، لایه انتقال‌دهنده حفره.