شبیه سازی و بهینه سازی سلولهای خورشیدی پروسکایتی مسطح مبتنی بر C۶۰,CuPc

Abstract

با وجود پیشرفتهای چشمگیر در عملکرد سلولهای خورشیدی پروسکایتی، مطالعات بیشتری برای بهینه سازی ساختاری، کنترل نقصها، صورت گرفته SCSPS-1D پیکربندی مناسب و افزایش پایداری آنها لازم است. دراین تحقیق یک مطالعهی شبیه سازی به کمک نرم افزار پیشبینی شود و با استفاده از پارامترهای بدست آمده از نتایج (n-i-p) است تا یک ساختار واقعی از سلول خورشیدی پروسکایتی مسطح تجربی مختص مواد تشکیل دهندهی سلول خورشیدی پروسکایتی و در نظر گرفتن تاثیر بازترکیبهای تابشی و اوژه در لایهی جاذب نور در دمای 300 کلوین شبیه سازی FTO / C60 / CH3NH3PbI3/ CuPc / Au خورشید که عامل مهمی در تخریب سلول است، ساختار را از 10 تا 450 نانومتر CuPc را از 5 تا 500 نانومتر، لایهی پروسکایت را از 25 تا 500 نانومتر و لایهی C شده است و ضخامت لایهی 60 تغییر داده و تاثیر ضخامت لایههای مختلف، بر عملکرد سلول خورشیدی مورد بررسی قرار گرفته تا ضخامت بهینهی آنها مشخص شود و 1 الکترون ولت / 8 الکترون ولت و تابع کار طلا برابر با 5 / برابر با 4 FTO رهنمودهایی برای افزایش بازدهی تبدیل توان ارائه شود. تابع کار در نظر گرفته شده است و پس از انجام شبیه سازی همانطور که در شکل 1نشان داده شده، ضخامتهای بهینه برای لایهی انتقال دهندهی 100 و 300 نانومتر انتخاب شد و شکل 2 نمودار چگالی ، به ترتیب 10 (PVS) و پروسکایت (HTL) انتقال دهندهی حفره ،(ETL) الکترون %60/ 23 میلی آمپر بر سانتی متر مربع، 39 / 1 ولت، 641 / جریان-ولتاژ برای این ضخامتهای بهینه رانشان میدهد. در نهایت مقادیر 029 %70/14 به ترتیب برای ولتاژ، چگالی جریان، ضریب پرشدگی و بازدهی بدست آمد که مطابقت قابل قبولی با نتایج تجربی دارد.