بهینه سازی وافزایش بازدهی سلول های خورشیدی پروسکایتی با استفاده از لایه های بین بافری

Abstract

در این پژوهش، ساختار سلول خور شیدی پرو سکایتی مورد ا ستفاده در شبیه سازی مت شکل از یک لایه ی پرو سکایت 3 و IDL و 1 (MoS لایه ی انتقال دهنده ی حفره ( 2 ،(MoS لایه ی بافر ( 2 ، (WO و 3 C60 ،PCBM ،TiO لایه ی انتقال دهنده ی الکترون ( 2 IDL2 به عنوان یک (MoS به عنوان کاتد مورد استفاده قرار گرفته است. در این مقاله، اثر ( 2 Au آند و FTO ، به عنوان لایه های رابط لایه محافظ و به عنوان یک لایه ی انتقال دهنده ی حفره مورد بررسی قرار میگیرد. به منظور بررسی نقش لایه ی انتقال دهنده ی در رابط های مختلف بر روی عملکرد سلولهای خورشیدی پروسکایت ، یک شبیه سازی با استفاده از نرم افزار (ETM) الکترون انجام میگیرد. با استفاده از پارامترهای شبیهسازی ابتدا ضخامت لایهی پروسکایت ولایهی بافر ولایهی انتقال دهنده حفره SCAPS TiO 100 و 10 نانومتر فرض شده وضخامت بهی نه مواد لایه ی انتقال ده نده ی الکترون : 2 ، ولایه های رابط به ترت یب : 3، 300 بهینهی 400 ،ETM 60 و 80 نانومتر به دست آمده است. سپس با استفاده از مقادیر لایه های ، 60 ، به ترتیب : 200 WO و 3 C60 ،PCBM، و 4 نانومتری از لایه های رابط به د ست آمده ا ست . پس از HTM نانومتری لایهی جاذب ، 3 نانومتری از لایهی بافر ، 60 نانومتری از لایه TiO متفاوت : 2 ETM آن با استفااده از مقادیر بهینهی لایههای مختلف، پارامترهای فوتوولتائیک توسط سلول خورشیدی لایه های دارای بیشترین بازده میباشد. C محاسبه شده است.که نشان میدهد لایهی 60 WO و 3 C60 ،PCBM ،