SnO۲/Cu۲O شبیه سازی و بررسی سلول خورشیدی پروسکایتی بر پایه

Abstract

سلول های خورشیدی پروسکایتی به دلیل سهولت فراوری و بازده رو به افزایش توجه بسیاری از محققین را به خود جلب کرده است. با این حال استقرار در مقیاس گسترده و همچنین تجاری سازی احتمالی آن ها به دلیل مواد انتقال الکترون پردازش شده با درجه حرارت بالا، و مواد گران قیمت انتقال حفره در سطح پیشرفته محدود TiO ناپایدار در برابر اشعه ماورابنفش و برخورداری از تحرک پایین الکترونی نظیر 2 موادی ارزان قیمت را به عنوان جایگزین های مناسب ، SCAPS است. لذا در این مقاله سعی شده است که با استفاده از نرم افزار شبیه ساز ETL به عنوان TiO2,ZnO,SnO انتخاب گردد که عملکرد فوتوولتائیک مناسبی داشته باشند. برای این ارزیابی، 2 HTL و ETL برای لایه های FTO/ETL/Perovskite(x بررسی شدند. با استفاده از پارامترهای تجربی برای مواد ساختار HTL به عنوان Spiro,P3HT,MoO3,Cu2O و FTO/SnO2(90nm)/Perovskite(500nm)/Cu2O(90nm)/C و تغییر ضخامت لایه ها بهترین ساختار بصورت nm)/HTL/Chatode می باشد. لذا می توان با Voc=1.10V و ولتاژ مدار باز PCE= پیشنهاد گردید. نتایج نشان داد که در این ساختار بازده تبدیل توان % 20.98 و کاتد کربن به سلول خورشیدی پروسکایتی دست یافت. SnO2/Cu2O مواد ارزان قیمت