| Authors | مدینه نژادزنگنه,سیدمحمدباقر قریشی,محسن قاسمی |
|---|
| Conference Title | بیست و هشتمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و چهاردهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
|---|
| Holding Date of Conference | 2022-02-01 - 2022-02-03 |
|---|
| Event Place | 1 - اهواز |
|---|
| Presented by | دانشگاه اهواز |
|---|
| Presentation | SPEECH |
|---|
| Conference Level | National Conferences |
|---|
Abstract
سلول خورشلیدی نیمه شفاف پروسکایتی با الکترود رسانای شفاف - MoO3/Au/V2O5 با سلاختا ر
Glass/ITO/TiO2/CH3NH3PbI3/Spiro- OMeTAD/MoO3/Au/V2O5
در نظر گرفته شد و با محاسبه ویژگیهای اپتیکی و همچنین روش اسمیت، اثر تغییر ضخامت لایه V2O5 روی جذب در لایه فعال و چگالی جریان مدار
کوتاه بررسی شد. در نهایت بیشینه چگالی جریان مدار کوتاه برای ضخامت 53 نانومتر از لایه ضخامت V2O5 به دست آمد
Paper URL
