| Authors | ابراهیم یزدی,سیدمحمدباقر قریشی |
| Conference Title | سی و دومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران |
| Holding Date of Conference | 2026-01-28 - 2026-01-29 |
| Event Place | 1 - رفسنجان |
| Presented by | دانشگاه ولیعصر رفسنجان |
| Presentation | SPEECH |
| Conference Level | National Conferences |
| Keywords | لایه شفاف رسانا, سلول خورشیدی پروسکایتی, شبیهسازی اپتیکی, لایه نازک. |
|---|
Abstract
در این پژوهش با استفاده از روش ماتریس انتقال ساختارهای مختلف دیالکتریک/فلز/دیالکتریک (DMD) برای مواد MoO3MoO3، WO3WO3، AuAu و AgAg با هدف عبور بیشینه در محدودهی مرئی و استفاده در سلولهای خورشیدی نیمه شفاف شبیهسازی شده است. در فرایند شبیهسازی ضخامت فلز میانی ثابت در نظر گرفته شده و با تغییر ضخامت دیالکتریک بهترین ضخامت بدست آمده است. در بین ساختارهای DMD مختلف که میتوان با ترکیب این مواد ساخت، ساختار WO3/Au/WO3WO3/Au/WO3 بیشترین عبور و رفتار یکنواختتر از خود نشان داد که گزینه خوبی برای کاربرد مذکور میباشد.
Paper URL