ایجاد نانو بلورکهای سطحی در آلیاژ آمورف CoFeSiB و افزایش امپدانس مغناطیسی تحت بازپخت جریانی پلکانی

چکیده مقاله

در این مقاله از بازپخت جریانی پلکانی برای افزایش امپدانس مغناطیسی نوارهای مغناطیسی استفاده شده است. پاسخ امپدانس مغناطیسی نمونهها با استفاده از یک - چیدمان آزمایشگاهی اندازهگیری شد. در بازپخت، گرما یکی از پارامترهای موثر در افزایش پاسخ امپدانس مغناطیسی میباشد به طوری که گرمای آزاد شده در نمونه با افزایش اندازه دانههای سطحی و ایجاد نانو بلورکهای سطحی باعث افزایش پاسخ امپدانس نمونهها میشود. در صورت ایجاد گرمای بیش از حد در نمونه، اندازه - دانهها با عبور از نانو بلورهای سطحی پاسخ امپدانس نمونهها را کاهش میدهند. برای بازپخت جریانی پلکانی بهینه تغییرات امپدانس مغناطیسی به میزان 422 0 مشاهده شد. این مقادیر برای گام زمانی 00 ثانیه در جریان بازپختی 200 میلیآمپر اندازهگیری شد. در این حالت اندازه نانو / درصد و امپدانس نسبی به میزان 42 بلورکهای سطحی به بهترین مقدار خود نزدیک شد