بهینه‎سازی لایه جاذب در سلول‎های خورشیدی لایه نازک

چکیده مقاله

در این مقاله شرایط بهینه برای ساخت لایه جاذب در سلول‎های خورشیدی لایه نازک CIGS مورد بررسی قرار گرفته است. از آنجا که بازدهی سلول به پارامترهای این لایه بسیار وابسته است، بدست آوردن ویژگی‏های ایده‎ال برای آن از اهمیت ویژه‎ای برخوردار است. در مراحل ساخت تاثیر سلنایز لایه مولیبدن و سونش شیمیایی لایه جاذب بررسی شده است. نتایج منحنی ولتاژ-جریان نشان داد نمونه‎هایی که لایه مولیبدن آنها سلنیایز شده‎اند، دارای چگالی جریان بیشتری هستند و طیف پراش پرتو ایکس ایجاد فاز MoSe2 را که دلیل این افزایش جریان بوده است را تایید کرد. از سونش خیس KCN برای حذف فاز اضافی سولفید مس موجود بر روی سطح نمونه استفاده شد و نمونه های سونش شده دارای مقاومت موازی بیشتری بودند. بررسی‏ها نشان داد که انجام هر دو عملیات سلنایز لایه مولیبدن و سونش لایه جاذب در فرآیند ساخت موجب کاهش مقاومت سری و افزایش چگالی جریان برای لایه جاذب می‎شود.