مهندسی محدوده طول‎موجی عبور در بلور نوری [Si/SiO2]6/Si3N4 به‎ وسیله لایه نقص TiO2

چکیده مقاله

در این مقاله اثر اضافه کردن لایه نازک TiO2 به عنوان یک نقص در بلور نوری یک بعدی متشکل از جفت‎لایه‎های [Si/SiO2] بر روی زیرلایه Si3N4 مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات نظری بر پایه روش ماتریس‎های انتقال 2×2 با استفاده از نرم افزار MATLAB انجام شده است و تلاش شده تا طیف طول‎موج عبوری ساختار مهندسی شود. نقص به صورت تغییر در ضریب شکست در نظر گرفته شد و مشاهده شد که با ایجاد نقص در نانوساختار می‎توان شکافی برای عبور در نوار ممنوعه ایجاد کرد. در ادامه با تغییر پارامترهایی مانند طول‎موج کاری، ضخامت لایه‎ها، ضخامت لایه نقص و تغییر چیدمان لایه‎ها، به جا‎بجایی شکاف عبوری و تغییر ارتفاع آن پرداخته شد. نتایج نشان داد با تغییر پارامترهای ذکر شده، می‎توانیم به نحوه دلخواه بازه عبور و مقدار آن را مهندسی کنیم