| نویسندگان | مهرداد مرادی کاونانی,فریده سادات سعیدی گلپایگانی |
|---|
| همایش | هشتمین همایش ملی فیزیک دانشگاه پیام نور |
|---|
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۷-۵-۱۰ |
|---|
| محل برگزاری همایش | شیراز |
|---|
| نوع ارائه | سخنرانی |
|---|
| سطح همایش | ملی |
|---|
چکیده مقاله
در این مقاله اثر اضافه کردن لایه نازک TiO2 به عنوان یک نقص در بلور نوری یک بعدی متشکل از جفتلایههای [Si/SiO2] بر روی زیرلایه Si3N4 مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات نظری بر پایه روش ماتریسهای انتقال 2×2 با استفاده از نرم افزار MATLAB انجام شده است و تلاش شده تا طیف طولموج عبوری ساختار مهندسی شود. نقص به صورت تغییر در ضریب شکست در نظر گرفته شد و مشاهده شد که با ایجاد نقص در نانوساختار میتوان شکافی برای عبور در نوار ممنوعه ایجاد کرد. در ادامه با تغییر پارامترهایی مانند طولموج کاری، ضخامت لایهها، ضخامت لایه نقص و تغییر چیدمان لایهها، به جابجایی شکاف عبوری و تغییر ارتفاع آن پرداخته شد. نتایج نشان داد با تغییر پارامترهای ذکر شده، میتوانیم به نحوه دلخواه بازه عبور و مقدار آن را مهندسی کنیم