اثر نقص بر شدت میدان الکتریکی بلور نوری یک بعدی شامل جفت لایههای ]5O2[

چکیده مقاله

در این مقاله با استفاده از شبیه سازی بلور نوری یک بعدی متشکل از جفت‎لایه‎های [SiO/Nb2O5] اثر اضافه کردن نقص بر میزان شدت میدان الکتریکی در داخل بلور مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات نظری بر پایه روش ماتریس‎های انتقال 2×2 و با استفاده از نرم افزار MATLAB انجام شده است. با ایجاد نقص به صورت تغییر در ضریب شکست و تغییر در ضخامت تلاش شد تا شدت میدان الکتریکی در بلور افزایش یابد. مشاهده شد با ایجاد نقص در نانوساختار می‎توان نور را به دام انداخت و در نتیجه شدت میدان الکتریکی در اطراف نقص بیشینه خواهد بود. نتایج نشان داد میزان افزایش شدت میدان الکتریکی در حالت نقص در ضخامت بیش از حالت نقص در ضریب شکست است.