| نویسندگان | فریده سادات سعیدی گلپایگانی,مهرداد مرادی کاونانی,مریم گلی |
|---|
| همایش | سومین همایش ملی و کارگاه تخصصی علومو فناوری نانو |
|---|
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۷-۸-۲۳ |
|---|
| محل برگزاری همایش | کرمان |
|---|
| نوع ارائه | سخنرانی |
|---|
| سطح همایش | ملی |
|---|
چکیده مقاله
در این مقاله با استفاده از شبیه سازی بلور نوری یک بعدی متشکل از جفتلایههای [SiO/Nb2O5] اثر اضافه کردن نقص بر میزان شدت میدان الکتریکی در داخل بلور مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات نظری بر پایه روش ماتریسهای انتقال 2×2 و با استفاده از نرم افزار MATLAB انجام شده است. با ایجاد نقص به صورت تغییر در ضریب شکست و تغییر در ضخامت تلاش شد تا شدت میدان الکتریکی در بلور افزایش یابد. مشاهده شد با ایجاد نقص در نانوساختار میتوان نور را به دام انداخت و در نتیجه شدت میدان الکتریکی در اطراف نقص بیشینه خواهد بود. نتایج نشان داد میزان افزایش شدت میدان الکتریکی در حالت نقص در ضخامت بیش از حالت نقص در ضریب شکست است.