ساخت و بررسی لایه جاذب CZTS به روش تبخیر حرارتی تحت خلاء جهت استفاده در سلول های خورشیدی لایه نازک

چکیده مقاله

در این مقاله خواص ساختاری و نوری لایه جاذب CZTS لایه نشانی شده به روش تبخیر حرارتی تحت خلاء بر روی بسترهایی از جنس شیشه و مولیبدن دی سولفید بررسی شد. در ابتدا لایه جاذب CZTS به صورت چند لایه های ZnS/Sn/S بر روی بستری از شیشه لایه نشانی شد و تحت دو فرایند متفاوت گوگرددار شود. نتایج نشان داد به علت بالا بودن دما در فرایند اول گوگرددار کردن، برای پیش ماده های فلزی لایه نشانی شده بازتبخیر رخ داد و سطح نمونه چسبندگی مناسب به بستر را نداشت؛ اما شرایط دمایی فرآیند دوم گوگرددار کردن، موج رشد بلوری بهتر در کنار چسبندگی قویتر لایه جاذب به بستر شد. خواص ساختاری و نوری به ترتیب توسط آنالیزهای پراش پرتو ایکس و طیفسنجی نوری-بازتابی بررسی شد. در ادامه پس از اطمینان خاطر از فرایند گوگردار کردن، لایه جاذب مجددا بر روی بستر مولیبدن دی سولفید لایه نشانی شد. گاف نواری بدست آمده از نمودار جذب نشان دهنده گاف نواری حودود 1/43 الکترون ولت بوود که برای کاربرد در سلول خورشیدی مناسب است.