| نویسندگان | مهرداد مرادی کاونانی,ایمان نوروزی نشلجی,علی دادستان,محمدمهدی داستانی امنیه |
|---|---|
| همایش | ;کنفرانس فیزیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۰-۰۸-۲۲ - ۲۰۲۰-۰۸-۲۵ |
| محل برگزاری همایش | 1 - کرمانشاه |
| ارائه به نام دانشگاه | کرمانشاه |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | بین المللی |
چکیده مقاله
در این مقاله امپدانس مغناطیسی و حساسیت میدان میکروسیمهای پایه کبالت تحت تاثیر تنش کششی طولی مورد بررسی قرار گرفت. برای اعمال تنش کششی طولی به میکرو سیمها وزنههای 11 ،45 ، 57 ، 105 ، 156 و 197 گرمی بسته شد و به مدت 30 دقیقه میکروسیم ها تحت تاثیر این وزنهها قرار گرفت. داده‌های بدست آمده از آزمایشات نشان می‌دهد که امپدانس مغناطیسی این نوارها به طور موثری بعد از اعمال تنش کششی طولی افزایش می‌یابد. تنش کششی طولی به دلیل باز آرایی کردن ممانها و همچنین ایجاد تغییر در ناهمسانگردی نمونه ها باعث بهبود امپدانس مغناطیسی میگردد. تمامی این آزمایشات در فرکانس 8 مگاهرتز انجام شده است. در هر مرحله از آزمایش به دلیل نتیجهگیری دقیقتر از یک نمونه خام استفاده شده است و مقایسه ها بر اساس امپدانس مغناطیسی نسبی RMI مطرح شده است. بیشترین میزان افزایش امپدانس مغناطیسی در فشار 28/108 مگا پاسکال بدست آمد که به میزان 40 درصد افزایش یافت (574% تا 804%) و حساسیت میدان نیز افزایش 35 درصدی داشت (1/8 تا8/10). این نتایج نشان می‌دهد که اعمال تنش کششی طولی می¬تواند روشی موثر، کم هزینه و سریع در کاربردهای حسگری باشد.
کلید واژه ها: امپدانس مغناطیسی، میکرو وایر، کشش طولی، حوزه های مغناطیسی