ساخت و بهینه سازی لایه جاذب CIGS به روش شبه هم تبخیری

چکیده مقاله

سلولهای خورشیدی ساخته شده بر پایه لایه جاذب CIGS جز سلولهای با هزینه ساخت کم و بازدهی بالا می باشند. در این کار یک روش جدید برای ساخت لایه جاذب CIGS با استفتده از روش لایه نشانی هم تبخیری به صورت چندلایه ای ارایه می شود. که این روش را روش شبه هم تبخیری می نامند. در این روش عناصر به صورت لایه هایی با ضخامت های مشخص به صورت جداگانه در زمان های مختلف و به صورت متوالی لایه نشانی می شوند. ترتیب و ضخامت لایه ها نقش اصلی را در کنترل نسبت مواد ایفا می کند. نتایج بدست امده حاکی از نسبت کنترل شده مواد در ساختار کریستالوگرافی و مورفولوزی قابل قبول سطح مقدار بهینه گالیم در سطح ودر نتیجه ان داشتن گاف نواری ایده ال است