بهینه سازی اثر GMI با لایه ‎نشانی دو لایه AuCr بر روی آلیاژ آمورف کبالت پایه و بررسی اثر ضخامت لایه

نویسندگانفاطمه نوه حاج حسینی,مهرداد مرادی کاونانی
همایشششمین همایش ملی و کارگاه های تخصصی علوم و فناوری نانو
تاریخ برگزاری همایش۲۰۲۴-۰۲-۲۱ - ۲۰۲۴-۰۲-۲۲
محل برگزاری همایش1 - بوشهر
ارائه به نام دانشگاهدانشگاه خلیج فارس
نوع ارائهسخنرانی
سطح همایشملی

چکیده مقاله

در این مقاله، اثر لایه‎ نشانی دو لایه طلا و کروم به روش PVD را بر روی آلیاژ آمورف کبالت پایه CoFeSiB با ضخامت ‎های متفاوت بررسی و گزارش شده است. نوارهای مغناطیسی را در دستگاه لایه ‎نشانی حرارتی و در فشار قرار دادیم و لایه‎نشانی با ضخامت50 نانومتر از مجموع طلا و کرم و نمونه دوم با ضخامت 25 نانومتر از مجموع هر دو ماده بر روی نوار آمورف کبالت پایه لایه ‎نشانی شد. آنالیز طیف پراش پرتو ایکس آمورف بودن هر دو نمونه را تایید کرد. نتایج بدست آمده نشان دادند که در هر دو ضخامت لایه‎نشانی شده افزایش اثر امپدانس مغناطیسی قابل مشاهده است. در نوار آمورف کبالت پایه با ضخامت مجموع 50 نانومتر ، 202% بیشترین افزایش درصد امپدانس مغناطیسی را داشتیم و در نوار آمورف کبالت پایه با ضخامت مجموع 25 نانومتر، 152% اثر امپدانس مغناطیسی افزایش پیدا کرد. لایه‎نشانی در ضخامت های کمتر از 25 نانومتر افزایش اثر امپدانس را نشان ندادند.

لینک ثابت مقاله

کلید واژه ها: لایه نازک، امپدانس مغناطیسی، PVD، آلیاژ آمورف، لایه ‎نشانی