| نویسندگان | وحید صادق زاده مرقی,محمود نیکو فرد,مهدی اسلامی,عماد رجبعلی زاده |
|---|
| همایش | 28 امین کنفرانس مهندسی برق ایران |
|---|
| تاریخ برگزاری همایش | 2020-08-04 - 2020-08-06 |
|---|
| محل برگزاری همایش | 1 - تبریز |
|---|
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه تبریز |
|---|
| نوع ارائه | سخنرانی |
|---|
| سطح همایش | ملی |
|---|
چکیده مقاله
در این مقاله، یک نوع ساختار فلز-عایق-فلز (Ag/SiO2/Ag) معرفی گردیده است که ساختار لایه آن بر رویهم قرارگرفتهاند. این ساختار موجبری منطبق بر فنّاوریCMOS بوده و در طولموج مخابراتی 1550nm کار میکند. توزیع میدان الکتریکی و ضریب شکست مؤثر (قسمت حقیقی و طول انتشار) این موجبر با تغییر پهنای پشته، ضخامت لایه موجبریSiO2، ضخامت فلز نقره و طولموج محاسبهشده است. این موجبر برای متمرکز نمودن نور در راستای افقی و عمودی بسیار مناسب میباشد.
لینک ثابت مقاله
