| نویسندگان | سعید حاجی جعفری بیدگلی,عباس صادق زاده عطار |
|---|
| همایش | کنفرانس سیستم های بس ذره ای (کپه ای و نانومقیاس) |
|---|
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۵-۱۱-۱۲ |
|---|
| محل برگزاری همایش | تهران |
|---|
| نوع ارائه | سخنرانی |
|---|
| سطح همایش | ملی |
|---|
چکیده مقاله
لایه¬های نانوساختار Bi4Si3O12 و دوپت شده با استرانسیم با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. سپس تأثیر افزودن ماده استرانسیم بر ساختار، مورفولوژی و خواص الکتریکی آنها مورد بررسی قرار گرفت. جهت ایجاد لایه¬های مورد نظر ابتدا محلول سل اولیه از مخلوط کردن مواد اولیه با نسبت¬های بهینه آماده شده و سپس سل¬های ایجاد شده به روش غوطه وری بر روی زیرلایه نشانده شد. در ادامه لایه¬های ایجاد شده در دمای °C100 خشک شده و تحت عملیات آنیل در دمای °C 700 قرار گرفت. لایه های نازک سنتز شده به وسیله دستگاه¬های XRD، SEM، AFM و LCR meter آنالیز و مشخصه یابی شدند. نتایج حاصل از تصاویر میکروسکوپی و آنالیز AFM بیانگر ایجاد پوششی صاف و یکنواخت با اندازه متوسط ذراتی در حدود 35 نانومتر بر روی زیرلایه می¬باشد. همچنین بررسی¬ خواص الکتریکی نشان داد که با افزایش دمای آنیل، ثابت و اتلاف دی¬الکتریک افزایش یافته و با افزایش فرکانس ثابت و اتلاف دی¬الکتریک این لایه¬ها کاهش می¬یابد