| Authors | پریسا کریمی مونه,زهرا مخلص ابادی فراهانی,نفیسه شریفی |
|---|
| Conference Title | بیست وهشتمینکنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران وچهاردهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، خوزستان، ایران. 14-12بهمن4001 |
|---|
| Holding Date of Conference | 2022-02-01 - 2022-02-03 |
|---|
| Event Place | 1 - اهواز |
|---|
| Presented by | دانشگاه شهید چمران اهواز |
|---|
| Presentation | SPEECH |
|---|
| Conference Level | National Conferences |
|---|
Abstract
چکیده-در این مقاله باا ستفاده ازنرم افزار یک بعدیSCAPSساختارسلول خور شیدی پرو سکایتی غیرآلیFTO/i-ETL/CsPbI3/i-
HTL/Auشبیه سازی شده و تغییرات بازدهی الکتریکی وبازدهی کوانتومی دردوحالت:با حضور لایه های مجازیIDL1وIDL2و بدون
حضور آنهاو همچنین با در نظر گرفتن نقص های سطحی بین لایه هایIDLها و پروسکایت مورد بررسی قرار گرفت. در این ساختار از2SnO
به عنوان لایه انتقال دهنده الکترونو ازSpiro-OMeTADبه عنوان لایه انتقال دهنده حفره و همچنین برای در نظر گرفتن تاثیر نقص های
بازترکیبی سطحی از لایه های مجازیIDL1وIDL2به ترتیب بینHTL/perovskiteوperovskite/ETLاستفاده شده است. با وارد
کردن نقص های بازترکیبی سطحی بازدهی الکتریکی این ساختار از13.15%به11.91%کاهش یافته است
