| Authors | پریسا کریمی مونه,نفیسه شریفی |
|---|
| Conference Title | سیامین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و شانزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
|---|
| Holding Date of Conference | 2024-01-29 - 2024-01-31 |
|---|
| Event Place | 1 - دامغان |
|---|
| Presented by | دانشگاه دامغان |
|---|
| Presentation | SPEECH |
|---|
| Conference Level | National Conferences |
|---|
Abstract
مهندسی شکاف نواری نقش اساسی در پیشرفت فناوری فتوولتایی، به ویژه برای سلول های خورشیدی نوظهور پروسکایت ایفا می کند. مدلسازی می تواند این اثر را در زمان کمتر و با صرف هزینه کمتر پیش بینی کند. با توجه به ویژگی های عملکرد امیدوارکننده ی سلول های خورشیدی پروسکایت ، پروسکایت های تمام معدنی مبتنی بر سزیم به دلیل پایداری بالاتر نسبت به پروسکایت های آلی-معدنی توجه محققان را در حوزه فتوولتایی به خود جلب کرده است. این مطالعه به بررسی شش سلول خورشیدی متمایز ساخته شده از لایه جاذب پروسکایتی مبتنی بر سزیم (CsPbCl3، CsPbBr3، CsPbI3، CsSnCl3، CsSnBr3، و CsSnI3) با استفاده از برنامه شبیه سازی SCAPS-1D میپردازد. نتایج نشان می دهد که سلول خورشیدی شبیه سازی شده با لایه جاذب CsSnI3 دارای بالاترین بازدهی و چگالی جریان به ترتیب برابر با 45/18 درصد و mA/cm2 85/32 است که می تواند به دلیل شکاف نواری باریک تر باشد. این یافته ها بر پتانسیل سلول های خورشیدی با لایه پروسکایتی تمام معدنی و بدون سرب برای دستیابی به سطوح عملکرد بالا قابل مقایسه با همتایان مبتنی بر سرب خود تأکید می کند.
Paper URL
