| نویسندگان | مرضیه قنواتی نژاد,سیدمحمدباقر قریشی,مصطفی زاهدیفر |
|---|
| همایش | بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و نهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
|---|
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۱۷-۱-۳۱ |
|---|
| محل برگزاری همایش | تهران |
|---|
| نوع ارائه | سخنرانی |
|---|
| سطح همایش | ملی |
|---|
چکیده مقاله
در پژوهش حاضر، نانوتیوب‌های نامنظم سوزنی‌شکل TiO2 رشدیافته از طریق روش آندایزشن بر بستر لایهTi نهشتیافته روی FTO به روش اسپاترینگ و همچنین نانوذرات TiO2 لایه‌نشانی شده به روش دکتر بلید که روی FTO لایه نشانی شده است، در قالب سلول‌های خورشیدی حساس به رنگ (DSSCS) مقایسه شده‌اند. عملیات لایه‌نشانی Ti به روش اسپاترینگ در مدت زمان حدود 6 ساعت، ضخامتی در حدود μ 2.200 روی FTO نهشت داده است. پس از آن، نانوتیوب‌های TiO2 از طریق روش آندایزشن در ولتاژ v 120 جهت تولید طرح نانوتیوب‌های نامنظم سوزنی‌شکل ایجاد شدند. سپس نمونه‌های آندایز شده در دمای ℃450 بازپخت شدند. همچنین نانوذرات TiO2 لایه‌نشانی‌شده روی FTO به روش دکتربلید، پس از چند بار حرارت‌دهی در دمای نهایی ℃550 بازپخت شد. در این پژوهش از آنالیزهای XRD ، AFM و SEM جهت بررسی نمونه‌ها استفاده شد.