مطالعه عددی تاثیر میدان مغناطیسی بر جابجایی طبیعی در محفظه با نانوسیال آب-اکسید مس با استفاده از مدل براونی

چکیده مقاله

در این مقاله نتایج مطالعه عددی جابجایی طبیعی نانوسیال آب-اکسید مس درون یک محفظه‌ی مربعی ارائه شده است. یک میدان مغناطیسی به صورت خارجی و در زوایای مختلف اعمال شده است. دیواره بالا در دمایTc ، دیواره پایین در دمای Th و دو دیواره عمودی عایق فرض شده است. معادلات اصلی که جریان حاصل از جابجایی طبیعی را توصیف می‌کنند شامل بقای جرم، مومنتوم و انرژی می‌شود که این معادلات توسط روش حجم محدود به صورت عددی حل شده‌اند. شبیه‌سازی عددی توسط برنامه کامپیوتری انجام شده است. برای ویسکوزیته و هدایت گرمایی نانوسیال آب-اکسید مس از مدل حرکت براونی استفاده شده است. تاثیر تغییرات عدد گراشف، کسر حجمی نانوسیال، شدت و جهت میدان مغناطیسی اعمال شده بر روی مشخصات جریان جابجایی آزاد نانوسیال درون محفظه بررسی شده است. نتایج در سه مقدار 106، 105 ، 104 = Grبرای بررسی تاثیر عدد گراشف، دو مقدار 04/0و02/0= برای کسر حجمی، سه مقدار °90 و °45 ، 0 = برای زاویه میدان نسبت به راستای افقی و محدوده‌ی وسیعی از عدد هارتمن (100-0 =Ha) و به صورت کانتورهای جریان و همدما و مقادیر ناسلت متوسط ارائه شده‌ است. نتایج نشان می‌دهد که میدان مغناطیسی و جهت آن اثرات گسترده‌ای روی جریان و انتقال حرارت نانوسیال در محفظه دارد.