شبیه¬سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه¬ی شیب¬دار تحت میدان مغناطیسی به روش شبکه بولتزمن

نویسندگاناحمدرضا رحمتی-امین نجارنظامی
تاریخ انتشار۰-۰-۰۱
رتبه نشریهعلمی - پژوهشی
نمایه نشریهISC ,SID

چکیده مقاله

در این تحقیق، از مدل توابع توزیع دوتایی با ضریب تخفیف چندتایی روش شبکه بولتزمن برای شبیه¬سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در یک محفظه¬ی شیب¬دار تحت میدان مغناطیسی استفاده شده است. محفظه موردنظر دوبعدی بوده و حاوی نانوسیال آب-اکسید تیتانیوم می‌باشد. محفظه دارای زاویه  نسبت به سطح افقی بوده و تحت یک میدان مغناطیسی یکنواخت قرار گرفته است. روش عددی ارائه شده به ترتیب میدان جریان و میدان دما را با استفاده از مدل D2Q9 و D2Q5 که از مدل¬های رایج در روش شبکه بولتزمن هستند شبیه‌سازی می¬نماید. هدف اصلی این تحقیق شبیه¬سازی جریان جابجایی طبیعی نانوسیال در عدد رایلی 5¬10 و بررسی اثر کمیت‌های مختلف مانند عدد هارتمن (60> 0%) و زاویه شیب محفظه (˚90>>˚0) بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت در محفظه است. نتایج بدست آمده نشان می¬دهد که افزایش قدرت میدان مغناطیسی باعث تضعیف جریان جابجایی طبیعی در محفظه شده و تغییرات شیب محفظه و کسر حجمی نانوذرات نیز تاثیرات متفاوتی بر میدان جریان، میدان دما و نرخ انتقال حرارت در محفظه د ارد.