فرستنده THz پلاسمونی با استفاده از تکنولوژی InP

چکیده مقاله

در این مقاله برای اولین بار یک فرستنده THz پلاسمونیکی با استفاده از روش هتروداین بر روی زیر لایه InP در پنجره طول موج 1.55µm طراحی گردیده است. از مزایای ساختار لایه معرفی شده این است که می¬توان تمام اجزای آن شامل لیزر، تزویجگر 3dB، آشکارساز نوری و آنتن فرستنده را بروی یک تراشه به صورت یکپارچه، مجتمع سازی نمود که هزینه ساخت را به شدت کاهش می¬دهد. تلاش شده است که دو قسمت اصلی این فرستنده، شامل تزویجگر و آشکارساز پلاسمونیکی طراحی و تحلیل گردند. در ابتدا ساختار لایه موجبر پلاسمونیکی و سپس آشکارساز نوری pin معرفی گردیده¬ و سپس نحوه انتشار نور در این ساختار با استفاده از روش تفاضل محدود در حوزه زمان محاسبه شده¬اند. تزویجگر نوری 3dB دارای طول 5µm و آشکارساز نوری دارای طول 1.5µm برای جذب بیش از 90% نور تابیده شده می-باشد. محاسبات نشان می¬دهد که آشکارساز نوری دارای پهنای باند تا چند صد گیگاهرتز می¬باشد.