| نویسندگان | مهدیان، محمدامین؛ نیکوفرد، محمود؛ سلیمان نژاد، فرشاد |
|---|---|
| همایش | کنفرانس فیزیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | ۰۵ ۰۶ ۱۳۹۶ |
| محل برگزاری همایش | قزوین |
| نوع ارائه | پوستر |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
در این مقاله، ساختار هیبریدی پلاسمونیکی با زیرلایه InP جهت طراحی و بهبود مقسم توان نوری 12* توسط تداخل چند مود طراحی و تحلیل شده است. در ساختار موجبر لایه هسته (InGaAsP) میتواند دارای عمق خوردگی متغییری از صفر تا 500 نانومتر داشته باشد. با بررسیهای انجام شده در این مقاله نشان داده شده که با افزایش عمق خوردگی طول انتشار در موجبر پلاسمونیکی مبتنی بر InP تا 50 درصد کاهش مییابد. همچنین با کاهش عمق خوردگی در ساختار موجبر توان انتقال نوری را در مقسم توان تداخل چند مود میتواند طول لازم برای داشتن یک مقسم توان یک ورودی دو خروجی را تا حدود 60 نانومتر کاهش داد و طول آنرا به کمتر از 650 نانومتر کاهش داد که در مقایسه با کارهای قبلی طول مقسم توان بیش از 460 نانومتر کمتر شده است در حالی که درصد انتقال توان بیشتر از 90 درصد حفظ شده است. با توجه به اهمیت مقسم های توان در مدارات مجتمع فتونیکی، این مسئله تحقق مدارات مجتمع یکپارچه فتونیکی را بیش از پیش میسر میکند.