نویسندگان | وحید صادق زاده مرقی,محمود نیکو فرد,مهدی اسلامی,عماد رجبعلی زاده |
---|---|
همایش | 28 امین کنفرانس مهندسی برق ایران |
تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۰-۰۸-۰۴ - ۲۰۲۰-۰۸-۰۶ |
محل برگزاری همایش | 1 - تبریز |
ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه تبریز |
نوع ارائه | سخنرانی |
سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
در این مقاله، یک نوع ساختار فلز-عایق-فلز (Ag/SiO2/Ag) معرفی گردیده است که ساختار لایه آن بر رویهم قرارگرفتهاند. این ساختار موجبری منطبق بر فنّاوریCMOS بوده و در طولموج مخابراتی 1550nm کار میکند. توزیع میدان الکتریکی و ضریب شکست مؤثر (قسمت حقیقی و طول انتشار) این موجبر با تغییر پهنای پشته، ضخامت لایه موجبریSiO2، ضخامت فلز نقره و طولموج محاسبهشده است. این موجبر برای متمرکز نمودن نور در راستای افقی و عمودی بسیار مناسب میباشد.
کلید واژه ها: موجبر پلاسمونی، فلز-عایق-فلز، طول انتشار، ضریب شکست مؤثر