سوئیچ¬های نوری مبتنی برساختارSiC با استفاده از ماده تغییر¬دهنده فاز VO2 در طول موج 1.55 m

چکیده مقاله

در این مطالعه برای اولین بار یک مدولاتور نوری با استفاده لایه موحبری SiC بر روی زیر لایه SiO2 و به کمک ماده‌ی تغییر دهنده فاز VO2 در طول موج 1.55 میکرومتر طراحی و شبیه سازی شده است. مراحل شبیه سازی بدین صورت است که ابتدا ساختار موجبر SiO2/SiC/SiO2 بررسی و ضخامت بهینه‌ی لایه‌ی هسته (SiC) محاسبه شده است که برابر با 290 نانومتر می¬باشد. در ادامه، به کمک ماده‌ی تغییر دهنده‌ی فاز ‌VO2 در لایه پوششی در دو فاز فلزی و عایقی به صورت مدولاتور نوری شبیه سازی شده و پارامترهایی همچون قسمت حقیقی و موهومی ضریب شکست موثر بر حسب ضخامت لایه VO2 در دو پلاریزاسیون TE و TM محاسبه شده‌اند و نشان داده شده است که در مود TM با تغییر ماده VO2 بین دو فاز فلزی و عایقی می توانیم عمل مدولاسیون را به صورت جذبی داشته باشیم.