| نویسندگان | محمود نیکو فرد,علیرضا ملک محمد |
|---|---|
| همایش | کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۴-۰۵-۰۸ - ۲۰۲۴-۰۵-۰۸ |
| محل برگزاری همایش | 1 - تهران |
| ارائه به نام دانشگاه | علم و فرهنگ |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | بین المللی |
چکیده مقاله
در این مقاله برای اولین بار یک سوییچ نوری مبتنی بر ماده تغییر دهنده فاز GST بر روی بستر SI-InP، در طول‌موج 1550 نانومتر طراحی و شبیه‌سازی شده است. بدین‌منظور ابتدا ساختار ارائه‌شده، توسط نرم‌افزارهای کامسول و لومریکال به‌منظور محاسبه مودها و انتشار نور تحلیل‌شده و سپس برای عملکرد مطلوب، ضخامت مناسب برای برخی لایه‌ها بدست آورده شده است. برای کنترل انتشار نور در ساختار پیشنهادی از ماده تغییر دهنده فاز GSTبا ضخامت 10 نانومتر بهره برده شده است، این ماده دارای دو فاز کاربردی پایدار فاز آمورف و فاز بلوری مکعبی می‌باشد که به ترتیب کمترین و بیشترین ضریب جذب نور را دارند. بنابراین، در صورت انتخاب طول مناسب مدولاتور، زمانی که ماده تغییر فاز GST در حالت‌های آمورف و بلوری قرار گیرد، نور به ترتیب، با کمترین و بیشترین اتلاف انتشار خواهد یافت. در ادامه منحنی‌های مربوط به قسمت حقیقی و موهومی ضریب شکست موثر ساختار پیشنهادی برای مود‌های TM در هر یک از فازهای آمورف و بلوری ماده تغییر فاز GST محاسبه‌شده است.
کلیدواژه‌ها: نیمه عایق، ایندیوم فسفاید، ژرمانیوم آنتیموان تلوراید (GST)، سوییچ‌های نوری، طول‌موج 1550 نانومتر