اثر روشهای لایه نشانی چرخشی و غوطه وری بر چگالی نقص های حفره های لایه سدی

نویسندگانفاطمه حسن زاده نجاری، نفیسه شریفی و مصطفی زاهدیفر
همایشپنجمین کنفرانس تخصصی سلول های خورشیدی نانوساختاری (NSSC94)
تاریخ برگزاری همایش۱۳۹۴
محل برگزاری همایشتهران
نوع ارائهسخنرانی
سطح همایشملی

چکیده مقاله

ز آنجا که بازترکیب الکترون یکی از عوامل اصلی اتلاف در سلولهای خورشیدی نانوساختار محسوب میشود، میتوان با غلبه بر این اتلاف پتانسیل مدار باز و به دنبال آن بازدهی سلول خورشیدی را افزایش داد. استفاده از لایه سدی موجب کاهش بازترکیب الکترون روی سطح )میشود. در سلولهای خورشیدی حالت جامد نیز لایه سدی مانع از اتصال اهمی ماده انتقال دهنده حفره با الکترود یا FTOشیشه رسانا ( و در نهایت مانع از اتصال کوتاه شدن سلول خورشیدی میشود. FTO با استفاده از استون و اتانول و در حمام فراصوت شسته شدند و به منظور حذف مواد آلی و آب دوست شدن زیرلایه به مدت FTO زیرلایههای درجه سانتیگراد حرارت داده شدند. نانوذرات تیتانیوم دی اکسید با افزودن محلول اتانولی هیدروکلریک اسید به 053 دقیقه در دمای 03 محلول اتانولی تیتانیوم تترا ایزوپروپکساید تهیه شد. طیف پراش اشعه ایکس وجود نانوکریستالهای تیتانیوم دی اکسید با فاز آناتاز را در محلول ساخته شده، تایید میکند. با استفاده از روش لایهنشانی چرخشی و غوطهوری انجام شد و با تغییر کمیتهای FTO ساخت لایه سدی تیتانیوم دی اکسید روی زیرلایههای میکرولیتر از 13 به دست آمد. لایهنشانی تیتانیوم دی اکسید به روش چرخشی با حجم FTO مختلف لایهنشانی، لایهای یکنواخت روی سطح سرعت ورود زیرلایه ، ثانیه انجام شد. در لایه نشانی تیتانیوم دی اکسید با روش غوطهوری 05 دور بر دقیقه و مدت زمان 2333 محلول، سرعت میلیمتر بر ثانیه در نظر گرفته شد. لایههای سدی تیتانیوم دی اکسید 13 به داخل محلول با سرعت خروج آن از محلول یکسان و برابر با FTO درجه سانتیگراد حرارت دهی شدند. 533 دقیقه در دمای 03ساخته شده با هر دو روش به مدت تصویر سطح مقطع نمونه لایهنشانی شده به روش چرخشی (شکل الف) نشان میدهد که نانومتر است. شکل (ب) 03ضخامت لایه تقریبا طیف عبور نمونههای لایهنشانی شده است که نشان دهنده میزان عبور کمتر نمونه لایهنشانی شده به روش غوطهوری در مقایسه با نمونه لایهنشانی شده به روش چرخشی است. نمودار چگالی جریان برحسب پتانسیل برای نمونههای لایهنشانی شده به روش چرخشی و غوطهوری (شکل ج و د) نشان دهنده کاهش بیشتر جریان عبوری از نمونه لایهنشانی شده به روش غوطهوری در مقایسه با نمونه لایهنشانی شده به روش چرخشی است، که عملکرد بهتر این لایه سدی در جلوگیری از بازترکیب الکترونها را نشان میدهد.