| نویسندگان | پریسا کریمی مونه,زهرا مخلص ابادی فراهانی,نفیسه شریفی |
|---|---|
| همایش | بیست وهشتمینکنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران وچهاردهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، خوزستان، ایران. 14-12بهمن4001 |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۲-۰۲-۰۱ - ۲۰۲۲-۰۲-۰۳ |
| محل برگزاری همایش | 1 - اهواز |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه شهید چمران اهواز |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
چکیده-در این مقاله باا ستفاده ازنرم افزار یک بعدیSCAPSساختارسلول خور شیدی پرو سکایتی غیرآلیFTO/i-ETL/CsPbI3/i- HTL/Auشبیه سازی شده و تغییرات بازدهی الکتریکی وبازدهی کوانتومی دردوحالت:با حضور لایه های مجازیIDL1وIDL2و بدون حضور آنهاو همچنین با در نظر گرفتن نقص های سطحی بین لایه هایIDLها و پروسکایت مورد بررسی قرار گرفت. در این ساختار از2SnO به عنوان لایه انتقال دهنده الکترونو ازSpiro-OMeTADبه عنوان لایه انتقال دهنده حفره و همچنین برای در نظر گرفتن تاثیر نقص های بازترکیبی سطحی از لایه های مجازیIDL1وIDL2به ترتیب بینHTL/perovskiteوperovskite/ETLاستفاده شده است. با وارد کردن نقص های بازترکیبی سطحی بازدهی الکتریکی این ساختار از13.15%به11.91%کاهش یافته است
کلید واژه ها: کلید واژه-پروسکایت، سلول های خورشیدی غیرآلی، لایه های مجازی، نقص های بازترکیبی سطحی