| نویسندگان | پریسا کریمی مونه,نفیسه شریفی |
|---|---|
| همایش | سی‌امین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران و شانزدهمین کنفرانس مهندسی و فناوری فوتونیک ایران |
| تاریخ برگزاری همایش | ۲۰۲۴-۰۱-۲۹ - ۲۰۲۴-۰۱-۳۱ |
| محل برگزاری همایش | 1 - دامغان |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه دامغان |
| نوع ارائه | سخنرانی |
| سطح همایش | ملی |
چکیده مقاله
مهندسی شکاف نواری نقش اساسی در پیشرفت فناوری فتوولتایی، به ویژه برای سلول های خورشیدی نوظهور پروسکایت ایفا می کند. مدلسازی می تواند این اثر را در زمان کمتر و با صرف هزینه کمتر پیش بینی کند. با توجه به ویژگی های عملکرد امیدوارکننده ی سلول های خورشیدی پروسکایت ، پروسکایت های تمام معدنی مبتنی بر سزیم به دلیل پایداری بالاتر نسبت به پروسکایت های آلی-معدنی توجه محققان را در حوزه فتوولتایی به خود جلب کرده است. این مطالعه به بررسی شش سلول خورشیدی متمایز ساخته شده از لایه جاذب پروسکایتی مبتنی بر سزیم (CsPbCl3، CsPbBr3، CsPbI3، CsSnCl3، CsSnBr3، و CsSnI3) با استفاده از برنامه شبیه سازی SCAPS-1D میپردازد. نتایج نشان می دهد که سلول خورشیدی شبیه سازی شده با لایه جاذب CsSnI3 دارای بالاترین بازدهی و چگالی جریان به ترتیب برابر با 45/18 درصد و mA/cm2 85/32 است که می تواند به دلیل شکاف نواری باریک تر باشد. این یافته ها بر پتانسیل سلول های خورشیدی با لایه پروسکایتی تمام معدنی و بدون سرب برای دستیابی به سطوح عملکرد بالا قابل مقایسه با همتایان مبتنی بر سرب خود تأکید می کند.
کلید واژه ها: پروسکایت، سلول های خورشیدی، سلول های خورشیدی تمام معدنی، شبیه سازی