رزومه
QR


نفیسه شریفی

نفیسه شریفی

استادیار

همکار سابق

دانشکده: دانشکده فیزیک

گروه: لیزر و فوتونیک

مقطع تحصیلی: فوق دكتری

رزومه
QR
نفیسه شریفی

استادیار نفیسه شریفی

همکار سابق
دانشکده: دانشکده فیزیک - گروه: لیزر و فوتونیک مقطع تحصیلی: فوق دكتری |

برنامه هفتگی
  8-10 10-12 12-14 14-16 16-18 18-20
شنبه مطالعه و پژوهش مشاوره دانشجویی مطالعه و پژوهش مطالعه و پژوهش سلولهای خورشیدی، کلاس 4 موضوعات ویژه عراقی
1شنبه مطالعه و پژوهش مشاوره دانشجویی موضوعات ویژه مطالعه و پژوهش مشاوره دانشجویی مطالعه و پژوهش
2شنبه موضوعات ویژه عراقی مشاوره دانشجویی مطالعه و پژوهش جلسه سلولهای خورشیدی، کلاس 4 مطالعه و پژوهش
3شنبه موضوعات ویژه مطالعه و پژوهش        

 

نمایش بیشتر

Comparison of Pb‑based and Sn‑based perovskite solar cells using SCAPS simulation: optimal efficiency of eco‑friendly CsSnI3 devices

نویسندگانپریسا کریمی مونه,نفیسه شریفی
نشریهEnvironmental Science and Pollution Research
شماره صفحات51447
شماره مجلد31
ضریب تاثیر (IF)ثبت نشده
نوع مقالهFull Paper
تاریخ انتشار2024-08-07
رتبه نشریهعلمی - پژوهشی
نوع نشریهالکترونیکی
کشور محل چاپایران
نمایه نشریهSCOPUS ,PubMed ,JCR

چکیده مقاله

In this study, we employed the one-dimensional solar cell capacitance simulator (SCAPS-1D) software to optimize the performance of Pb-based and Sn-based (Pb-free) all-inorganic perovskites (AIPs) and organic–inorganic perovskites (OIPs) in perovskite solar cell (PSC) structures. Due to the higher stability of AIPs, the performance of PSCs incorporating Cs-based perovskites was compared with that of FA-based perovskites, which are more stable than their MA-based counterparts. The impact of AIPs such as CsPbCl3, CsPbBr3, CsPbI3, CsSnCl3, CsSnBr3, and CsSnI3, as well as including FAPbCl3, FAPbBr3, FAPbI3, FASnCl3, FASnBr3, and FASnI3, was investigated. SnO2 and Cu2O were selected as an inorganic electron transport layer (ETL) and a hole transport layer (HTL), respectively. CsSnBr₃, CsSnI₃, FASnCl₃, and FASnBr₃ exhibited higher efficiency compared to their Pb-based counterparts. Additionally, most Cs-based perovskites, excluding CsPbI₃, demonstrated better performance relative to their FA counterparts. CsSnI3 AIP device also shows the highest short circuit current density ( JSC) of 32.85 mA/cm2, the best power conversion efficiency (PCE) of 16.00%, and the least recombination at the SnO2/ CsSnI3 interface. The thickness, doping, and total defect density of CsSnI3 PSC have been systematically investigated and optimized to obtain the PCE of 17.36%. These findings highlight the potential of CsSnI3 PSCs as efficient and environmentally friendly PSCs.