| نویسندگان | علیرضا آقایی، حسین خراسانی زاده، قنبرعلی شیخ زاده |
|---|---|
| نشریه | فصلنامه علمی- پژوهشی مکانیک هوافضا |
| ارائه به نام دانشگاه | دانشگاه کاشان |
| شماره صفحات | ۵۳-۶۶ |
| شماره سریال | ۲ |
| شماره مجلد | ۵۱ |
| نوع مقاله | Full Paper |
| تاریخ انتشار | تابستان ۱۳۹۸ |
| رتبه نشریه | علمی - پژوهشی |
| نوع نشریه | چاپی |
| کشور محل چاپ | ایران |
چکیده مقاله
جریان سیال تحت تاثیر میدان مغناطیسی در خنک کاری سامانه های الکترونیکی و ترانسفورماتورهای برق و پدیده های فیزیکی مثل زمین شناسی مطرح می باشد. در مطالعه حاضر اثر میدان مغناطیسی بر میدان جریان و انتقال حرارت جابه جایی طبیعی نانوسیال آب-اکسیدمس با لحاظ اثر حرکت براونی نانوذرات در محفظه ذوزنقه ای برای هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم مطالعه شده است. مطالعه برای اعداد رایلی 103 تا 1010، اعداد هارتمن 0 تا 100 و کسر حجمی های 0تا 04/0 از نانوذرات انجام شده است. معادلات حاکم با روش حجم محدود و الگوریتم سیمپلر به صورت عددی با استفاده از یک برنامه کامپیوتری به زبان فرترن حل شده اند. نتایج نشان دادند که با اعمال میدان مغناطیسی و افزایش آن، سرعت جابه جایی نانوسیال و قدرت جریان در هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم کاهش می یابد. از مقایسه خطوط جریان و هم دما در رژیم آرام با متلاطم مشخص می شود که با توجه به ثابت ماندن قدرت میدان مغناطیسی (عدد هارتمن ثابت) در هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم، خطوط جریان و هم دما در رژیم متلاطم کمتر تحت تاثیر نیروی لورنتس قرار می گیرند. برای هر دو رژیم جریان آرام و متلاطم با زیاد شدن کسر حجمی نانوذرات و افزایش عدد رایلی عدد ناسلت متوسط زیاد می شود. همچنین در همه اعداد رایلی و کسرهای حجمی با افزایش عدد هارتمن، عدد ناسلت متوسط کاهش می یابد.
tags: نانوسیال، میدان مغناطیسی، عدد هارتمن، خواص متغیر، جابه جایی طبیعی، جریان متلاطم