اثر حضور یک لایه ی سیلیکونی گرم مغناطیده بر روی پدیده اعوجاج در یک خط انتقال استوانه¬ای ناهم¬ محور

چکیده مقاله

در این مقاله به بررسی اثر حضور یک لایه¬ی سیلیکون گرم که به طور موثر مغناطیده گردیده، بر روی هر یک از پارامترهای اصلی خطوط انتقال یعنی L ، G، C و R پرداخته خواهد شد. دلیل اصلی بررسی این پارامترها وابستگی سرعت فاز در یک خط انتقال به پارامترهای مذکور می¬باشد. دیاگرام¬های سرعت فاز در هر فرکانس برای دماهای مختلف و میدان مغناطیسی¬های مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین دیاگرام تغییر سرعت فاز برحسب میزان انحراف سیستم از حالت هم¬محوری نیز ارائه شده است.