تهیه و شناسایی نانوساختارهای CdS درسلول های خورشیدی لایه نازک CIGS به روش الکتروشیمیایی

چکیده مقاله

ماده نیمه هادی کادمیم سولفید دارای خاصیت فتوولتائیک می باشد. در میان فیلم های نازک با ترکیبات ساختار کالکوپریت مانند CdS ، Pbs،ZnO و......CdS بهترین ماده برای استفاده به عنوان نیم رسانای نوع n می باشد،چون CdS دارای شفافیت بالا و انرژی گاف مستقیم حدود eV2.2 می باشد. روش های مرسومی برای ساخت لایه CdS شامل کندوپاش Rf، تبخیر حرارتی لایه الکترونی، ته نشینی بخار فیزیکی، ته نشینی الکتروشیمیایی و.....وجود دارد. از میان این روش ها، روش ته نشینی الکتروشیمیایی روش مناسب برای تولید نانو مواد و نانو پوشش های فلزی و نیمه هادی ها می باشد. در این پژوهش نانو ساختارهای CdS با روش کرنوآمپرومتری تهیه شدند