نانونوارهای زیگزاگی سیلیسن در حضور میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی خارجی

چکیده مقاله

در این پژوهش به بررسی خواص الکترونی نانونوارهای زیگزاگی سیلیسن در حضور میدان‌های الکتریکی عمود و مغناطیسی تبادلی پرداخته‌ایم. این شبیه‌سازی با توجه به مدل تنگ‌بست تک نواری در حضور برهمکنش اسپین مدار ذاتی (با قدرت ) انجام شده است. نتایج نشان می‌دهند که میدان الکتریکی یک گاف انرژی ایجاد می‌کند و میدان مغناطیسی، تقارن وارونی وابسته به اسپین را می‌شکند. همچنین با تغییر اندازه‌های میدان الکتریکی ( ) و مغناطیسی (قدرت میدان مغناطیسی ) در حد (l ثابت خمیدگی) یک نیمه‌رسانای مغناطیسی دو قطبی در نانونوارهای زیگزاگی سیلیسن در حضور برهمکنش اسپین مدار ذاتی خواهیم داشت. با توجه به نتایج به دست آمده، گاف‌های انرژی وابسته به اسپین مربوط به نیمه‌رسانای مغناطیسی دوقطبی با تغییر میدان‌های خارجی به شدت تغییر می‌کنند.