نانونوارهای زیگزاگی سیلسین در حضور ناخالصی مغناطیسی

چکیده مقاله

در این مقاله به بررسی خواص الکترونی و مغناطیسی نانونوار زیگزاگی سیلیسن در حضور ناخالصی مغناطیسی می‌پردازیم. این کار با استفاده از دو مدل کین-میل و اندرسون-کوندو انجام می‌شود. نتایج نشان می‌دهند که مکان قرارگیری اتم‌های ناخالصی می‌تواند خواص مغناطیسی نانونوارهای زیگزاگی را به شدت تغییر دهد در حالیکه خواص الکترونی تغییر نکرده و نانونوارهای زیگزاگی همچنان خاصیت فلزی از خود نشان می‌دهند. در پهنای مختلف و با اضافه شدن اتم ناخالصی مغناطیسی تبهگنی بین نوارهای اسپین بالا و پایین شکسته شده و نانونوار زیگزاگی حتی در غلظتهای کم نیز خاصیت مغناطیسی از خود نشان میدهند. همچنین با تغییر متغیرهای مثل پارمتر انتگرال تبادلی و پارمتر جهش در مدل تنگ بست نیز این خاطیت مغناطیسی حفظ می‌شود.