اثر نقص در خواص ترموالکتریکی نانونوار‌های گرافنی با لبه‌های زیگزاگ نامتقارن در حضور برهمکنش الکترون-الکترون

چکیده مقاله

ما در این بررسی به اثر نقص در خواص الکترونی و ترموالکتریک وابسته به اسپین نانونوارهای گرافنی با لبه‌های زیگزاگ نامتقارن ‌پرداخته‌ایم. در این کار از تقریب میدان‌ موثر هابارد و روش تنگ‌بست تک‌نواری برای محاسبه بخش الکترونی و همچنین از روش تابع گرین غیرخطی و مدل لاندائور-بوتیکر برای محاسبه ترموالکتریک وابسته به اسپین استفاده شده است. سیستم رفتار نیم‌رسانای اسپینی با نوارهای جایگزیده حول سطح فرمی به دلیل خواص مغناطیسی لبه‌های زیگزاگی و نقص موجود در لبه از خود نشان می‌دهد. با ایجاد اختلاف دما در دو سر سیستم، جریان‌های گرمایی وابسته به اسپین یکسان با جهت‌های مخالف، تولید می‌شود، که این منجر به جریان اسپینی نسبتا خالص می‌شود. جریان‌های اسپینی القاشده گرمایی، وجود اثر سیبک وابسته به اسپین در این سیستم را تایید می‌کند و نتایج نیز یک اثر سیبک اسپینی بزرگ را نشان می‌دهد.