اثرات نقص و میدان الکتریکی در نانو نوارهای زیگزاگ گرافنی: نظریه تابعی چگالی

چکیده مقاله

ما به بررسی اثر نقص تهیجای و میدان الکتریکی، بر خواص الکترونی نانونوارهای زیگزاگی گرافن با رهیافت نظریه تابعی چگالی پرداخته ایم. مغناطش خالص غیرصفرایجاد شده در نانونوار یک رفتار نیمرسانای اسپینی در سیستم ایجاد می کند، این رفتار سبب تولید یک ضریب عبور اسپین-قطبیده میشود. با نقص تهیجا ی و میدان الکتریکی میتوان حالتها ی اسپین-قطبی ده، خاص ی ت رسانایی و ن یمهرسانایی را روی سطح فرمی کنترل کرد. با کنتر ل میدان الکتریکی می توان خاصیتهای نیمه فلزی در حضور نقص در نانونوار گرافن ایجاد کرد.