اثر تهی جای بر ساختار الکترونی نانونوارهای سیلیسنی

چکیده مقاله

در این مقاله، ما با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در تقریب تنگ بست به بررسی ساختار الکترونی نانونوارهای سیلیسنی با لبه¬ی زیگزاگ و آرمچیری در حضور تهی جای می¬پردازیم. نشان خواهیم داد که حضور تهی جای تغییرات شدیدی در ساختار نواری اوربیتال¬های پای و سیگما ایجاد نموده و در نانونوارهای زیگزاگی و آرمچیری حالت¬های جایگزیده¬ای در سطح فرمی ایجاد می¬نماید. این مسئله می¬تواند در کاربرد نانونوارهای سیلیسنی در ترانزیستورهای اثر میدانی موثر باشد.